霍爾效應(yīng)實驗?zāi)康?

霍爾效應(yīng)是電磁效應(yīng)的一種，霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的測量已成為研究半導(dǎo)體材料的主要方法之一。霍爾效應(yīng)實驗是指為了解霍爾效應(yīng)測量磁場原理而進行的實驗。

實驗的目的主要有：

1． 通過實驗掌握霍爾效應(yīng)基本原理，了解霍爾元件的基本結(jié)構(gòu)；

2． 學(xué)會測量半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)、電導(dǎo)率、遷移率等參數(shù)的實驗方法和技術(shù)；

3． 學(xué)會用“對稱測量法”消除副效應(yīng)所產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差的實驗方法。

4． 學(xué)習(xí)利用霍爾效應(yīng)測量磁感應(yīng)強度及磁場分布。

儀器與裝置：霍爾效應(yīng)實驗儀

霍爾效應(yīng)測試儀，是用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。該儀器為性能穩(wěn)定、功能強大、性價比高的霍爾效應(yīng)儀,在國內(nèi)高校、研究所及半導(dǎo)體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便，易于攜帶。

可測試材料: 

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。