永磁體霍爾效應(yīng)測(cè)試儀的相關(guān)介紹

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

霍爾效應(yīng)系統(tǒng)組成：本儀器系統(tǒng)由永磁體、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高精度高斯計(jì)和系統(tǒng)軟件組成。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測(cè)量復(fù)雜的切換繼電器——開(kāi)關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10 可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrieroncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。 

可測(cè)試材料:

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

JH60 測(cè)試時(shí)，只需要輸入三個(gè)關(guān)鍵參數(shù)即可進(jìn)行測(cè)量，磁場(chǎng)的轉(zhuǎn)換為手動(dòng)轉(zhuǎn)換，需要轉(zhuǎn)換磁場(chǎng)方向時(shí)程序會(huì)彈出信息框，根據(jù)測(cè)試程序的提示完成相應(yīng)的操作即可獲得樣品需要的參數(shù)。

測(cè)量時(shí)只需要設(shè)置好樣片通過(guò)的電流、樣片所在磁場(chǎng)環(huán)境的磁場(chǎng)大小、樣品厚度即可進(jìn)行測(cè)量，數(shù)據(jù)可以繪圖，可以導(dǎo)出至EXCEL中以便后期處理及使用。