高磁場型霍爾效應測試系統的主要技術指標

產品概述：

     本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統軟件。為本儀器系統專門研制的 JH10效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(HallCoefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。 

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此處只列出系統的主要技術指標。

可測試材料: 

 半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；? 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；

 高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

技術指標：

* 磁 場：10mm 間距為 2T 20mm 間距為 1.3T

* 樣品電流：0.05uA~50mA(調節 0.1nA)

* 測量電壓：0.1uV~30V ▲ 提供各類測試標準材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

* *小分辨率：0.1GS

* 磁場范圍：0-1T

* 配合高斯計或數采板可計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

* 霍爾系數、載流子濃度等參數的變化曲線

* 電阻率范圍：10-7 ~1012 Ohm*cm

* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度：103 ~1023 cm -3

* 遷移率：0.1~108 cm 2 /volt*sec

*測試全自動化，一鍵處理

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高精度電磁鐵：

極頭直徑 100mm;

N，S 間距 10mm 時*大磁場 20000Gs;

N，S 間距 20mm 時*大 13000 高斯;

N, S 間距 30mm 時*大磁場 10000 高斯;

均勻區：間距 60mm 時直徑 10mm 均勻度范圍;1%

 自重 210 公斤; 含支架及輪子

高精度高斯計：

精度：讀數的±0.30%

分辨力：0.01mT 量程:0-3T

探頭厚度:1.0mm

長度 100mm 數字

Rs-232 接口數據讀取軟件配 GF-80探頭

高精度雙極性恒流電源輸出： ±10A±40V 功率；400W

① 電源輸出電流可在正負額定*大電流之間連續變化

② 電流可以平滑過零點，非開關換向

③ 輸出電流、電壓四象限工作（適合感性負載）

④ 電流變化速率可設置范圍為 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.為額定*大輸出電流）

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※ 電流穩定度高，紋波低

①電流穩定度：優于±25ppm/h（標準型）；優 于±5ppm/h（高穩型） ② 電流準確度：±（0.01%設定值+1mA） ③ 電流分辨率：20 bit，例 15A 電源，電流分辨率為 0.03mA

④ 源效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供電電壓變化 10%時，輸出電流變化量）

⑤ 負載效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在負載變化 10%時，輸出電流變化量）

⑥ 電流紋波（RMS）：小于 1mA

高精度高斯計：

 高斯計探頭支架及樣品架 全鋁非導磁支架 5-70mm 可調；

樣品架夾具（按要求定制）;

 霍爾效應系統軟件：可數字化調節磁場及電流,測試各類材料參數，

 恒流源及測試表：

恒流源量程：±50nA-±50mA；

分辨力 0.1nA 在量程范圍內連續可調；

高精度電壓數采儀范圍 0. 1uV-30V

精度：0.01%

內置測試矩陣轉換卡； 7 1 歐姆接觸套件 根據不同材料的歐姆接觸制作套件

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